“国产芯片”瑞森半导体(REASUNOS)将亮相2023慕尼黑上海电子展

起步于2007年,专注于功率半导体器件及功率IC的研发、设计、销售的瑞森半导体(REASUNOS),将于7月11日-13日亮相2023慕尼黑上海电子展(展位号:7.2H馆 D320展位)。与众多行业伙伴,共同聚焦新能源汽车、自动驾驶、智能座舱 、充电桩、绿色能源等新兴科技领域,深入探讨功率半导体技术在领域的应用及未来发展趋势。

electronica China慕尼黑上海电子展是电子行业内极具影响力的大规模专业展,也是行业内重要的盛事。瑞森半导体已连续多年参展,本届展会面积规模计划扩大至10万平米,参展企业将达到1600+,预计吸引观众7万人次,将会是电子行业同胞的一场盛会。

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瑞森半导体本次展会主打三条产品线,硅基功率器件,碳化硅基功率器件以及功率IC ,其中硅基功率器件包括平面高压MOS,超结MOS,Trench低压MOS和SGT低压MOS, 产品涵盖20V-1500V全耐压段,可以满足各种不同应用场景;以平面高压MOS为例,目前国内产品在技术指标上存在的问题主要是高温(150℃)漏电大以及电磁辐射EMI难解决;产品质量上存在的问题主要是老化考核后产品击穿电压(BV)跌落,可靠性难以符合工业要求等问题。瑞森半导体高压MOS系列采用新型的横向变掺杂技术,以专有的功率MOS结构,高温特性优良,同时极大提升了产品的雪崩能量和抗浪涌能力;

碳化硅基功率器件包括碳化硅SBD和碳化硅MOSFET,产品涵盖650V-1200V-1700V,3300V产品系列在开发中;已实现全球销售,SiC 产品系列完全可实现国产替代。

瑞森半导体超结MOS产品系列,均采用多层外延工艺制作,与传统的trench工艺相比,具有优异的抗EMI及抗浪涌能力,性能可媲美国际一线品牌。

电源管理IC采用的是1um 600V HVIC 高压浮栅工艺,整个系统电源采用CS-CP PPFC+ LLC (电流源电荷泵 +串联谐振)技术,是国内唯一 一家可以单级方案做到400W以上的大功率并涵盖高PF、低THD、无频闪、高效率等优势的产品系列,其中效率超过94%,PF(功率因数)大于0.96,THD(总谐波失真)在5%以内,频闪系数<0.03(远远优于国标1.15的标准),产品可广泛应用于教育照明、家居照明、商业照明、学生书房灯、户外路灯、植物照明、投光灯、景观照明、体育场馆等。

瑞森半导体核心研发第三代宽禁带半导体技术,研发人员占比40%,具备强大的自主研发能力 。并与湖南大学半导体学院(集成电路学院)深度合作,进行第三代半导体技术的创新研发突破。未来,产品体系发展及完善速度将会加快步伐,将就更高耐压、更大电流,模块化等方向以及GaN HEMTs 的驱动芯片投入研发。

瑞森半导体服务全球半导体行业市场16年,产品性能、稳定性、一致性均得到市场的认可,本次展会现场除了产品展示外,瑞森半导体功率器件FAE总监及驱动方案研发总监也将坐镇展会现场,专业解答各类技术问题。更有电源网、芯查查等专访,同时展会活动现场还有各类福利,诚邀全球客户观展。

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关于瑞森半导体 (REASUNOS)

瑞森半导体(REASUNOS)起步于2007年,是一家专注于功率半导体器件及功率IC的研发、设计、销售的国家级高新技术企业, 致力于为全球客户提供功率半导体整体解决方案。

公司专注于高质、高性能的产品研发,核心研发第三代宽禁带半导体技术,是国内碳化硅(SiC)产品系列较早实现量产并全球销售的企业。品质、性能对标国际品牌,成功替代众多进口系列,助力芯片国产化。在集成芯片领域, 国内首创单级大功率400W高PF无频闪LED驱动IC,是具备较强竞争力、自主创新的产品。在功率器件领域,就更高耐压、更大电流,模块化等发展方向以及GaN HEMTs系列持续投入研发中。

公司产品涵盖碳化硅MOS、碳化硅二极管、硅基平面MOS、超结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电保护器件等,凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点,广泛应用于新能源汽车 、充电桩、光伏、逆变、储能、白色家电、工业控制和消费类电子等领域。

瑞森半导体始终关注客户需求,将产品研发放在首要位置,公司于2022年成立瑞森半导体科技(湖南)有限公司,并与湖南大学创建“湖南大学半导体学院产教融合基地”,进行半导体技术与应用创新的深度研发合作。

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